销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: