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    漏源电压: 30V
    连续漏极电流: 5.7A
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:100+
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    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F31DN8TA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F31DN8TA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3F31DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订31个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订31个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3481CX6 RFG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3481CX6 RFG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18.09nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1047.98pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F31DN8TA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F31DN8TA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3F31DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40ENEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订6000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订6000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订12500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订12500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNER 起订23个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNER 起订23个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV20XNER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€6.94W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNER 起订319个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNER 起订319个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV20XNER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€6.94W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订9个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订9个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订9000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订9000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40ENEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订21000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订21000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40ENEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订15000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订15000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNER 起订250个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNER 起订250个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV20XNER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€6.94W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNER 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNER 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV20XNER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€6.94W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3481CX6 RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3481CX6 RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18.09nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1047.98pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3481CX6 RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3481CX6 RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.09nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1047.98pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNER 起订21000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNER 起订21000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV20XNER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€6.94W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AOSD21313C 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSD21313C 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSD21313C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:32mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNER 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNER 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV20XNER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€6.94W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订36个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A 起订36个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSD21313C 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSD21313C 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSD21313C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:32mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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