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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA02DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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输入电容：4660pF@15V
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类型：P沟道
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输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：6150pF@15V
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漏源电压：30V
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连续漏极电流：50A
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导通电阻：2mΩ@15A，10V
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规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
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功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：55nC@4.5V
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输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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功率：57W
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输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：50A
类型：N沟道
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类型：P沟道
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漏源电压：30V
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连续漏极电流：50A
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阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
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连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
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连续漏极电流：50A
类型：P沟道
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功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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功率：57W
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栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SIRA02DP-T1-GE3
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功率：5W€71.4W
阈值电压：2.2V@250µA
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栅极电荷：117nC@10V
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输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
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栅极电荷：55nC@4.5V
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连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
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功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
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栅极电荷：55nC@4.5V
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输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：5W€71.4W
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栅极电荷：117nC@10V
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输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：5W€71.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA02DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
功率：57W
输入电容：4660pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：55nC@4.5V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
功率：57W
输入电容：4660pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：55nC@4.5V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
功率：57W
输入电容：4660pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：55nC@4.5V
连续漏极电流：50A
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阈值电压：2.2V@250µA
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