采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3418L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464.3pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32338C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON1634
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：245pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3434A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：245pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3434A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：245pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3418L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464.3pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32338C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3418L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464.3pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3418L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464.3pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3418L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464.3pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32338C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3418L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464.3pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
