品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PMV45EN2R
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功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
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阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
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阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":99000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":99000}
规格型号(MPN):PMV45EN2R
输入电容:209pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:4.1A
阈值电压:2V@250µA
功率:510mW€5W
栅极电荷:6.3nC@10V
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: