品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7201TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:28nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@7.3A,10V
输入电容:550pF@25V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.8A
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
输入电容:190pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.2A
输入电容:300pF@10V
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF03L
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3.3W
输入电容:330pF@25V
导通电阻:50mΩ@2A,10V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@2.2A,10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
输入电容:210pF@25V
栅极电荷:9.6nC@10V
阈值电压:1V@250µA
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:22.2pF@15V
类型:N沟道
功率:393mW
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2336DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
输入电容:560pF@15V
阈值电压:1V@250µA
功率:1.25W€1.8W
栅极电荷:15nC@8V
ECCN:EAR99
导通电阻:42mΩ@3.8A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A01E6TA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:1.1W
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:150pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:22.2pF@15V
类型:N沟道
功率:393mW
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:150pF@25V
类型:N-Channel
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL150N3LLH6
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:150A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:80W
栅极电荷:40nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:4040pF@25V
导通电阻:2.4mΩ@16.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3115UDM-7
输入电容:476pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@6A,4.5V
功率:900mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:150pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL150N3LLH6
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:150A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:80W
栅极电荷:40nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:4040pF@25V
导通电阻:2.4mΩ@16.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:150pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2336DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
输入电容:560pF@15V
阈值电压:1V@250µA
功率:1.25W€1.8W
栅极电荷:15nC@8V
导通电阻:42mΩ@3.8A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2336DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
输入电容:560pF@15V
阈值电压:1V@250µA
功率:1.25W€1.8W
栅极电荷:15nC@8V
ECCN:EAR99
导通电阻:42mΩ@3.8A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2803TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@910mA,10V
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
输入电容:85pF@25V
栅极电荷:5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2803TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@910mA,10V
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
输入电容:85pF@25V
栅极电荷:5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.2A
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@2.2A,10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
输入电容:210pF@25V
栅极电荷:9.6nC@10V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3300U-7
输入电容:193pF@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
类型:N-Channel
连续漏极电流:2A
导通电阻:150mΩ@4.5A,4.5V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@2.2A,10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
输入电容:210pF@25V
栅极电荷:9.6nC@10V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.2A
输入电容:300pF@10V
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V
类型:N沟道
输入电容:1304pF@15V
栅极电荷:27nC@8V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.03W
连续漏极电流:15A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7201TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:28nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@7.3A,10V
输入电容:550pF@25V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3200U-7
输入电容:290pF@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
功率:650mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NTAG
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:427pF@15V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
功率:710mW
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:427pF@15V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
功率:710mW
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: