品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8878
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.1W€31W
栅极电荷:26nC@10V
连续漏极电流:9.6A€16.5A
导通电阻:14mΩ@9.6A,10V
输入电容:1230pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1600pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
功率:2.5W€43W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A€100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"MI+":67500}
规格型号(MPN):NTMFS4C06NBT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:20A€69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
功率:2.55W€30.5W
ECCN:EAR99
输入电容:1683pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:770mW€30.5W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A€69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:1683pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7686DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1220pF@15V
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:9.5mΩ@13.8A,10V
连续漏极电流:35A
阈值电压:3V@250µA
功率:5W€37.9W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{}
规格型号(MPN):BSZ0902NSATMA1
功率:2.1W€48W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHM8329TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:16A€57A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
类型:N沟道
输入电容:1710pF@10V
栅极电荷:26nC@10V
功率:2.6W€33W
阈值电压:2.2V@25µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0902NSATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
导通电阻:2.6mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0902NSATMA1
功率:2.1W€48W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0902NSATMA1
功率:2.1W€48W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":25772}
规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1600pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
功率:2.5W€43W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A€100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4686DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1220pF@15V
功率:3W€5.2W
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:9.5mΩ@13.8A,10V
连续漏极电流:18.2A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0902NSATMA1
功率:2.1W€48W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1600pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
功率:2.5W€43W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A€100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8878
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.1W€31W
栅极电荷:26nC@10V
连续漏极电流:9.6A€16.5A
导通电阻:14mΩ@9.6A,10V
输入电容:1230pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8680
输入电容:1590pF@15V
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:14A€35A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:7mΩ@14A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0902NSATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
ECCN:EAR99
导通电阻:2.6mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8680
输入电容:1590pF@15V
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:14A€35A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:7mΩ@14A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7686DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1220pF@15V
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:9.5mΩ@13.8A,10V
连续漏极电流:35A
阈值电压:3V@250µA
功率:5W€37.9W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"07+":2272,"09+":329039,"MI+":9000}
规格型号(MPN):FDMC8878
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.1W€31W
栅极电荷:26nC@10V
连续漏极电流:9.6A€16.5A
导通电阻:14mΩ@9.6A,10V
输入电容:1230pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7686DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1220pF@15V
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:9.5mΩ@13.8A,10V
连续漏极电流:35A
阈值电压:3V@250µA
功率:5W€37.9W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0902NSATMA1
功率:2.1W€48W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8878
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.1W€31W
栅极电荷:26nC@10V
连续漏极电流:9.6A€16.5A
导通电阻:14mΩ@9.6A,10V
输入电容:1230pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":25772}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€43W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:26A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":5486,"12+":162000,"16+":147000,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1590pF@15V
连续漏极电流:14A€35A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€43W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:26A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8878
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@15V
连续漏极电流:9.6A€16.5A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1590pF@15V
连续漏极电流:14A€35A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€30.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:11A€69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€30.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:11A€69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: