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    漏源电压: 30V
    类型: N沟道
    栅极电荷: 26nC@10V
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8878

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.1W€31W

    栅极电荷:26nC@10V

    连续漏极电流:9.6A€16.5A

    导通电阻:14mΩ@9.6A,10V

    输入电容:1230pF@15V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1600pF@15V

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    功率:2.5W€43W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:26A€100A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NBT1G 起订648个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NBT1G 起订648个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"MI+":67500}

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NBT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:20A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    功率:2.55W€30.5W

    ECCN:EAR99

    输入电容:1683pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:770mW€30.5W

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1683pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7686DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7686DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7686DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1220pF@15V

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:9.5mΩ@13.8A,10V

    连续漏极电流:35A

    阈值电压:3V@250µA

    功率:5W€37.9W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0902NSATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0902NSATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{}

    规格型号(MPN):BSZ0902NSATMA1

    功率:2.1W€48W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:2.6mΩ@20A,10V

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHM8329TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHM8329TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFHM8329TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:16A€57A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    类型:N沟道

    输入电容:1710pF@10V

    栅极电荷:26nC@10V

    功率:2.6W€33W

    阈值电压:2.2V@25µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NSATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NSATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0902NSATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    导通电阻:2.6mΩ@30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0902NSATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0902NSATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0902NSATMA1

    功率:2.1W€48W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:2.6mΩ@20A,10V

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0902NSATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0902NSATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0902NSATMA1

    功率:2.1W€48W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:2.6mΩ@20A,10V

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订834个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订834个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":25772}

    规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1600pF@15V

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    功率:2.5W€43W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:26A€100A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4686DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4686DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4686DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1220pF@15V

    功率:3W€5.2W

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:9.5mΩ@13.8A,10V

    连续漏极电流:18.2A

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0902NSATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0902NSATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0902NSATMA1

    功率:2.1W€48W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:2.6mΩ@20A,10V

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1600pF@15V

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    功率:2.5W€43W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:26A€100A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订499个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订499个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8878

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.1W€31W

    栅极电荷:26nC@10V

    连续漏极电流:9.6A€16.5A

    导通电阻:14mΩ@9.6A,10V

    输入电容:1230pF@15V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680 起订1000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680 起订1000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8680

    输入电容:1590pF@15V

    功率:2.5W€50W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:14A€35A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:7mΩ@14A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NSATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NSATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0902NSATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:2.6mΩ@30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8680

    输入电容:1590pF@15V

    功率:2.5W€50W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:14A€35A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:7mΩ@14A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7686DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7686DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7686DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1220pF@15V

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:9.5mΩ@13.8A,10V

    连续漏极电流:35A

    阈值电压:3V@250µA

    功率:5W€37.9W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC8878 起订5000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC8878 起订5000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"07+":2272,"09+":329039,"MI+":9000}

    规格型号(MPN):FDMC8878

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.1W€31W

    栅极电荷:26nC@10V

    连续漏极电流:9.6A€16.5A

    导通电阻:14mΩ@9.6A,10V

    输入电容:1230pF@15V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7686DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7686DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7686DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1220pF@15V

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:9.5mΩ@13.8A,10V

    连续漏极电流:35A

    阈值电压:3V@250µA

    功率:5W€37.9W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0902NSATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0902NSATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0902NSATMA1

    功率:2.1W€48W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:2.6mΩ@20A,10V

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8878

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.1W€31W

    栅极电荷:26nC@10V

    连续漏极电流:9.6A€16.5A

    导通电阻:14mΩ@9.6A,10V

    输入电容:1230pF@15V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订834个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订834个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":25772}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€43W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:26A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:834
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680 起订376个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680 起订376个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":5486,"12+":162000,"16+":147000,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@15V

    连续漏极电流:14A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:376
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订834个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0502NSIATMA1 起订834个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€43W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:26A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:834
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8878 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8878

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1230pF@15V

    连续漏极电流:9.6A€16.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@15V

    连续漏极电流:14A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
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