采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSS-13
栅极电荷：9.47nC@5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：16mΩ@9A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：9A
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：798pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C09NT1G
输入电容：1252pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：9A
栅极电荷：10.9nC@4.5V
功率：760mW€25.5W
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20.6nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
连续漏极电流：9A
功率：1.7W€12.5W
输入电容：840pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6692A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@9A，10V
连续漏极电流：9A
功率：1.47W
输入电容：1610pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20.6nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
连续漏极电流：9A
功率：1.7W€12.5W
输入电容：840pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS406DN-T1-GE3
导通电阻：11mΩ@12A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：28nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：9A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20.6nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
连续漏极电流：9A
功率：1.7W€12.5W
输入电容：840pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C09NT1G
输入电容：1252pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：9A
栅极电荷：10.9nC@4.5V
功率：760mW€25.5W
ECCN：EAR99
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20.6nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
连续漏极电流：9A
功率：1.7W€12.5W
输入电容：840pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C09NT1G
输入电容：1252pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：9A
栅极电荷：10.9nC@4.5V
功率：760mW€25.5W
ECCN：EAR99
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSS-13
栅极电荷：9.47nC@5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：16mΩ@9A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：8.6A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20.6nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
连续漏极电流：9A
功率：1.7W€12.5W
输入电容：840pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：4645}
规格型号(MPN)：FDS8882
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.5W
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：9A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：20mΩ@9A，10V
输入电容：940pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7806ADN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA7672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：9.47nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：8.6A
类型：N-Channel
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C09NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：10.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS406DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4645}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：350，"22+"：1433404}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3030LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C09NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：9.47nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA7672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
