采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：127500}
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
栅极电荷：30nC@10V
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
输入电容：950pF@24V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
栅极电荷：13nC@10V
功率：1.3W€2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
漏源电压：30V
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：6A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
栅极电荷：13nC@10V
功率：1.3W€2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
漏源电压：30V
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSN-7
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：6A
导通电阻：30mΩ@6A，10V
栅极电荷：10.5nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSNQ-7
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
导通电阻：30mΩ@6A，10V
栅极电荷：10.5nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20ENR
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：21mΩ@6A，10V
类型：N沟道
栅极电荷：10.8nC@10V
输入电容：435pF@15V
阈值电压：2V@250µA
功率：510mW€6.94W
连续漏极电流：6A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
栅极电荷：11.4nC@10V
导通电阻：30mΩ
功率：1.75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
栅极电荷：30nC@10V
连续漏极电流：6A
输入电容：950pF@24V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
栅极电荷：11.4nC@10V
导通电阻：30mΩ
功率：1.75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSN-7
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
导通电阻：30mΩ@6A，10V
栅极电荷：10.5nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSN-7
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
导通电阻：30mΩ@6A，10V
栅极电荷：10.5nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSN-7
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：6A
导通电阻：30mΩ@6A，10V
栅极电荷：10.5nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
栅极电荷：13nC@10V
功率：1.3W€2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
漏源电压：30V
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：6A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
栅极电荷：13nC@10V
功率：1.3W€2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
漏源电压：30V
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
导通电阻：30mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
导通电阻：30mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：10.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N-Channel
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20ENR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：127500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：127500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20ENR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
