品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA10DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2425pF@15V
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
连续漏极电流:60A
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
功率:5W€40W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:2000pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:60A
导通电阻:5mΩ@30A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA10DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2425pF@15V
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
连续漏极电流:60A
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
功率:5W€40W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA84DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:60A
输入电容:1535pF@15V
功率:34.7W
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA10DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2425pF@15V
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
连续漏极电流:60A
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
功率:5W€40W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17575Q3T
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4420pF@15V
类型:N沟道
功率:2.8W€108W
栅极电荷:30nC@4.5V
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17581Q3AT
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3640pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:1.7V@250µA
连续漏极电流:60A
栅极电荷:54nC@10V
导通电阻:3.8mΩ@16A,10V
功率:2.8W€63W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17577Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2310pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3W€53W
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:60A
导通电阻:4.2mΩ@18A,10V
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA10DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2425pF@15V
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
连续漏极电流:60A
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
功率:5W€40W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3420pF@15V
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
连续漏极电流:60A
阈值电压:2.2V@250µA
功率:27.8W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA10DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
类型:N-Channel
导通电阻:3.7mΩ
输入电容:2425pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
连续漏极电流:30A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7192DP-T1-GE3
输入电容:5800pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@20A,10V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17575Q3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4420pF@15V
类型:N沟道
功率:2.8W€108W
栅极电荷:30nC@4.5V
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17575Q3T
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4420pF@15V
类型:N沟道
功率:2.8W€108W
栅极电荷:30nC@4.5V
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17581Q3AT
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3640pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:1.7V@250µA
连续漏极电流:60A
栅极电荷:54nC@10V
导通电阻:3.8mΩ@16A,10V
功率:2.8W€63W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC18DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@15V
漏源电压:30V
栅极电荷:111nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:60A
功率:54.3W
导通电阻:1.1mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17577Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2310pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3W€53W
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:60A
导通电阻:4.2mΩ@18A,10V
栅极电荷:35nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17575Q3T
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4420pF@15V
类型:N沟道
功率:2.8W€108W
栅极电荷:30nC@4.5V
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009LFV-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2000pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17581Q3AT
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3640pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:1.7V@250µA
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
导通电阻:3.8mΩ@16A,10V
功率:2.8W€63W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17581Q3AT
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3640pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:1.7V@250µA
连续漏极电流:60A
栅极电荷:54nC@10V
导通电阻:3.8mΩ@16A,10V
功率:2.8W€63W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
连续漏极电流:60A
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
功率:43W
输入电容:1873pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
功率:5.4W€83W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-RE3
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
功率:5.4W€83W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7
栅极电荷:16.7nC@10V
输入电容:1155pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
连续漏极电流:60A
功率:1W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC18DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@15V
漏源电压:30V
栅极电荷:111nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:60A
功率:54.3W
导通电阻:1.1mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1873pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1873pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: