品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA10DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2425pF@15V
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
连续漏极电流:60A
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
功率:5W€40W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4134DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:14mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:846pF@15V
功率:2.5W€5W
连续漏极电流:14A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:27A€60A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:5W€38W
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
输入电容:1470pF@15V
栅极电荷:32nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.1nC@10V
类型:N沟道
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:105pF@15V
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.5A€1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304DDS-T1-BE3
输入电容:235pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.3A€3.6A
功率:1.1W€1.7W
栅极电荷:6.7nC@10V
导通电阻:60mΩ@3.2A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6mΩ@19A,10V
功率:3.8W€52W
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:35A
输入电容:1700pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2366DS-T1-GE3
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:10nC@10V
功率:1.25W€2.1W
输入电容:335pF@15V
导通电阻:36mΩ@4.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
功率:1.56W€2.8W
连续漏极电流:3.9A€3.9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14DN-T1-GE3
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@10A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:1450pF@15V
功率:3.57W€26.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH402DN-T1-GE3
连续漏极电流:19A€35A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6mΩ@19A,10V
功率:3.8W€52W
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:1700pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14DN-T1-GE3
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@10A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:1450pF@15V
功率:3.57W€26.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:56nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA10BDP-T1-GE3
连续漏极电流:30A€60A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:5W€43W
导通电阻:3.6mΩ@10A,10V
输入电容:1710pF@15V
栅极电荷:36.2nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3545pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:5.2W€69W
连续漏极电流:50A
栅极电荷:95nC@10V
导通电阻:3.1mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA88DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6.7mΩ@10A,10V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:16.2A€40.5A
栅极电荷:25.5nC@10V
功率:3.2W€19.8W
ECCN:EAR99
输入电容:985pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:1000pF@15V
功率:3.2W€19.8W
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
栅极电荷:21.5nC@10V
连续漏极电流:38.3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-GE3
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:5.4W
导通电阻:3mΩ@25A,10V
连续漏极电流:30A
阈值电压:3V@250µA
输入电容:5600pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3545pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:5.2W€69W
连续漏极电流:50A
栅极电荷:95nC@10V
导通电阻:3.1mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:13nC@5V
类型:N沟道
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250µA
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
功率:104W
类型:N沟道
栅极电荷:153nC@10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
输入电容:10180pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR500DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:0.47mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:85.9A€350.8A
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:6.25W€104.1W
栅极电荷:180nC@10V
输入电容:8960pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3545pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:5.2W€69W
连续漏极电流:50A
栅极电荷:95nC@10V
导通电阻:3.1mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:15.3A€38.3A
功率:3.2W€19.8W
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
栅极电荷:21.5nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
连续漏极电流:30.9A€40A
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1302DL-T1-GE3
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:280mW
导通电阻:480mΩ@600mA,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4460pF@15V
功率:5W€65.7W
类型:N沟道
栅极电荷:93nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:50.5A€80A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: