品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:14A€16A
类型:P沟道
导通电阻:7.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3015LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:60.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2748pF@20V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO301SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB14R0EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:227pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP012-30QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€32W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:8.9A€38.8A
类型:P沟道
导通电阻:12.8mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:14A€16A
类型:P沟道
导通电阻:7.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3020LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1802pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R5EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1392pF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP012-30QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€32W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:8.9A€38.8A
类型:P沟道
导通电阻:12.8mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO301SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R5EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1392pF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO301SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP015-30QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€16W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:8A€24.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.8mΩ@8.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3020LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1802pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3015LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:60.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2748pF@20V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3015LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:60.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2748pF@20V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3015LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:60.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2748pF@20V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3015LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2748pF@20V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:14A€16A
类型:P沟道
导通电阻:7.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:14A€16A
类型:P沟道
导通电阻:7.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP015-30QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€16W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:8A€24.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.8mΩ@8.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: