品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:25.9A€94A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€24W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€30W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:21A€34A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€24W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21307
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€28W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1995pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€24.5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:14A€24A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21307
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€28W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1995pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D5SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:25.9A€94A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:25.9A€94A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:413nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15660pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21307
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€28W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1995pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21307
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€28W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1995pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOI21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€78W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:23A€70A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: