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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1079X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：1.44A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA449DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3105LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：839pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3105LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：839pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA449DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA449DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3105LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：839pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6401A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA449DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3105LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：839pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA449DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA449DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3105LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：839pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3105LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：839pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2371EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
