采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：80589}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS356AP-NB8L005A
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：托盘
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3433_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：370mΩ@1.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3433_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：370mΩ@1.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3433-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：370mΩ@1.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS356AP-NB8L005A
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：托盘
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3433-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：370mΩ@1.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS356AP-NB8L005A
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：托盘
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3433-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：370mΩ@1.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3433-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：370mΩ@1.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3433_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：370mΩ@1.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3433_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：370mΩ@1.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3433_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：370mΩ@1.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3433_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：370mΩ@1.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
