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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14R0EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：227pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL9P3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2615pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14R0EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：227pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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