采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P03XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P03XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P03XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P03XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P03XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
