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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS015P03P8ZTWG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS015P03P8ZTWG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS015P03P8ZTWG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.66W€33.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2706pF@15V

    连续漏极电流:13.4A€47.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.3mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订224个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订224个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":420,"22+":2900,"23+":5491,"24+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS008P03P8Z

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:22A€96A

    类型:P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4195PZTBG 起订1527个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4195PZTBG 起订1527个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS4195PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS3P03R2G 起订465个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS3P03R2G 起订465个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":5000,"08+":15230,"10+":47314}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS3P03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@24V

    连续漏极电流:2.34A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS008P03P8Z

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:22A€96A

    类型:P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS3P03R2 起订792个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS3P03R2 起订792个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":37500,"04+":2399,"08+":4610,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS3P03R2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@24V

    连续漏极电流:2.34A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA530PZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA530PZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA530PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1070pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4502PT1G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4502PT1G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR4502PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@15V

    连续漏极电流:1.13A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.95A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1G 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4111PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC6675BZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC6675BZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC6675BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2865pF@15V

    连续漏极电流:9.5A€20A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.4mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4502PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@15V

    连续漏极电流:1.13A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.95A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS008P03P8Z 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":420,"22+":2900,"23+":5491,"24+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS008P03P8Z

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:22A€96A

    类型:P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS005P03P8ZT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS005P03P8ZT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS005P03P8ZT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:112nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7880pF@15V

    连续漏极电流:15.3A€164A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.7mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD25P03LT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4173PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:10.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订4167个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订4167个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4502PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@15V

    连续漏极电流:1.13A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.95A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675 起订156个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675 起订156个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":464}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4177PR2G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4177PR2G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4177PR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@24V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4502PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@15V

    连续漏极电流:1.13A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.95A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1 起订124个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4111PT1 起订124个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:04+

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4111PT1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4173PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN352AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:1.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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