品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@15V
连续漏极电流:8.5A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS015P03P8ZTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.66W€33.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2706pF@15V
连续漏极电流:13.4A€47.6A
类型:P沟道
导通电阻:9.3mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":420,"22+":2900,"23+":5491,"24+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS008P03P8Z
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:22A€96A
类型:P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@15V
连续漏极电流:8.5A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS4195PZTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":5000,"08+":15230,"10+":47314}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS3P03R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@24V
连续漏极电流:2.34A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS008P03P8Z
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:22A€96A
类型:P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":37500,"04+":2399,"08+":4610,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS3P03R2
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@24V
连续漏极电流:2.34A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA530PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2865pF@15V
连续漏极电流:9.5A€20A
类型:P沟道
导通电阻:14.4mΩ@9.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":420,"22+":2900,"23+":5491,"24+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS008P03P8Z
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:22A€96A
类型:P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005P03P8ZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:112nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7880pF@15V
连续漏极电流:15.3A€164A
类型:P沟道
导通电阻:2.7mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3455T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@5V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":464}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4177PR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@24V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@11.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:04+
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@15V
连续漏极电流:8.5A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN352AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@1.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: