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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：223202，"10+"：2500，"22+"：50000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA928DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2812
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：37mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4862
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：25752}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4862
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA928DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：25752}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA928DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA928DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA928DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：223202，"10+"：2500，"22+"：50000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA928DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA928DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4862
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
