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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3664S 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3664S 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3664S

    连续漏极电流:13A€25A

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1765pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6992 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6992 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6992

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:19A€31A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    阈值电压:2.7V@250µA

    连续漏极电流:30A€60A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1765pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1160pF@15V

    功率:1W

    连续漏极电流:17A€32A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3009LDT-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3009LDT-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3009LDT-7

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    连续漏极电流:30A

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:1500pF@15V

    导通电阻:11.1mΩ@14.4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3D 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3D 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87335Q3D

    输入电容:1050pF@15V

    阈值电压:1.9V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC5018SG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC5018SG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC5018SG

    功率:1W€1.1W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:17A€32A

    导通电阻:5mΩ@17A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:1715pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C86NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C86NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":1086,"16+":3893,"18+":35100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD4C86NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:5.4mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11.3A€18.1A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:1.1W

    ECCN:EAR99

    输入电容:1153pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3606S

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1785pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    连续漏极电流:13A€27A

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C85NT1G 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C85NT1G 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD4C85NT1G

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:15.4A€29.7A

    功率:1.13W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订224个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订224个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"23+":9000}

    规格型号(MPN):FDMS3606S

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1785pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    连续漏极电流:13A€27A

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1160pF@15V

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:17A€32A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6996 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6996 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6996

    输入电容:820pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:50A€60A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C86NT3G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C86NT3G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"18+":789400}

    规格型号(MPN):NTMFD4C86NT3G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:5.4mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11.3A€18.1A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:1.1W

    ECCN:EAR99

    输入电容:1153pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONY36354 起订750个装
    AOS Mosfet场效应管 AONY36354 起订750个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONY36354

    功率:3.1W€21W€3.1W€31.5W

    输入电容:820pF@15V€1890pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.1V@250µA€1.9V@250µA

    连续漏极电流:18.5A€49A€27A€85A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3664S 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3664S 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3664S

    连续漏极电流:13A€25A

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1765pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3604S 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3604S 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"23+":1831,"24+":30000}

    规格型号(MPN):FDMS3604S

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1785pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:13A€23A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C88NT1G 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C88NT1G 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"16+":7500}

    规格型号(MPN):NTMFD4C88NT1G

    输入电容:1252pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)非对称型

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:1.1W

    导通电阻:5.4mΩ@10A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:11.7A€14.2A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6994 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6994 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6994

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    输入电容:820pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:19A€26A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1160pF@15V

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:17A€32A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOE6930 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOE6930 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOE6930

    功率:24W€75W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    输入电容:1075pF@15V€5560pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.1V@250µA€1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:22A€85A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6994 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6994 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6994

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    输入电容:820pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:19A€26A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1160pF@15V

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:17A€32A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":51929,"24+":693}

    规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:17A€31A

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    输入电容:1025pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3606S

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1785pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    连续漏极电流:13A€27A

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C86NT1G 起订141个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C86NT1G 起订141个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":1086,"16+":3893,"18+":35100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD4C86NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:5.4mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11.3A€18.1A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:1.1W

    ECCN:EAR99

    输入电容:1153pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0924NDIATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0924NDIATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0924NDIATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1160pF@15V

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:17A€32A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C86NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C86NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD4C86NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.2V@250µA

    导通电阻:5.4mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    输入电容:1153pF@15V

    连续漏极电流:11.3A€18.1A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3DT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3DT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD87334Q3DT

    阈值电压:1.2V@250µA

    导通电阻:6mΩ@12A,8V

    输入电容:1260pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONY36352 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AONY36352 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONY36352

    输入电容:820pF@15V€2555pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18.5A€49A€30A€85A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.1V@250µA€1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:3.1W€21W€3.1W€45W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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