品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3664S
连续漏极电流:13A€25A
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1765pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6992
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:19A€31A
类型:2N沟道(双)非对称型
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
阈值电压:2.7V@250µA
连续漏极电流:30A€60A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1765pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:5mΩ@20A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1160pF@15V
功率:1W
连续漏极电流:17A€32A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3009LDT-7
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
连续漏极电流:30A
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1500pF@15V
导通电阻:11.1mΩ@14.4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87335Q3D
输入电容:1050pF@15V
阈值电压:1.9V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC5018SG
功率:1W€1.1W
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17A€32A
导通电阻:5mΩ@17A,10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1715pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1086,"16+":3893,"18+":35100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11.3A€18.1A
类型:2N沟道(双)非对称型
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
ECCN:EAR99
输入电容:1153pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3606S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13A€27A
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C85NT1G
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
导通电阻:3mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1960pF@15V
连续漏极电流:15.4A€29.7A
功率:1.13W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":9000}
规格型号(MPN):FDMS3606S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13A€27A
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1160pF@15V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:5mΩ@20A,10V
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:17A€32A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6996
输入电容:820pF@15V
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:50A€60A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":789400}
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11.3A€18.1A
类型:2N沟道(双)非对称型
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
ECCN:EAR99
输入电容:1153pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONY36354
功率:3.1W€21W€3.1W€31.5W
输入电容:820pF@15V€1890pF@15V
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.1V@250µA€1.9V@250µA
连续漏极电流:18.5A€49A€27A€85A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3664S
连续漏极电流:13A€25A
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1765pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":1831,"24+":30000}
规格型号(MPN):FDMS3604S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:13A€23A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":7500}
规格型号(MPN):NTMFD4C88NT1G
输入电容:1252pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)非对称型
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
导通电阻:5.4mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:11.7A€14.2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6994
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
输入电容:820pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:19A€26A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1160pF@15V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:5mΩ@20A,10V
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:17A€32A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOE6930
功率:24W€75W
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
输入电容:1075pF@15V€5560pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.1V@250µA€1.9V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:22A€85A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6994
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
输入电容:820pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:19A€26A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1160pF@15V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:5mΩ@20A,10V
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:17A€32A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":51929,"24+":693}
规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:17A€31A
导通电阻:5mΩ@20A,10V
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:1W
ECCN:EAR99
输入电容:1025pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3606S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13A€27A
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1086,"16+":3893,"18+":35100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11.3A€18.1A
类型:2N沟道(双)非对称型
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
ECCN:EAR99
输入电容:1153pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0924NDIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1160pF@15V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:5mΩ@20A,10V
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:17A€32A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT1G
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
输入电容:1153pF@15V
连续漏极电流:11.3A€18.1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD87334Q3DT
阈值电压:1.2V@250µA
导通电阻:6mΩ@12A,8V
输入电容:1260pF@15V
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONY36352
输入电容:820pF@15V€2555pF@15V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18.5A€49A€30A€85A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.1V@250µA€1.9V@250µA
ECCN:EAR99
功率:3.1W€21W€3.1W€45W
包装清单:商品主体 * 1
库存: