品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17484F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:121mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17483F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17484F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.2nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:121mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17483F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKV,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKV,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008PBKV,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17483F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17381F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKV,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17381F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008CBKV,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:400mA€220mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17483F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17381F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@500mA,8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17381F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@500mA,8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17381F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@500mA,8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17484F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:121mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008CBKV,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:400mA€220mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17483F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008CBKV,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:400mA€220mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008CBKV,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:400mA€220mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17484F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:121mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17381F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@500mA,8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17381F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@500mA,8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17484F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.2nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:121mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008CBKV,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:400mA€220mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17484F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.2nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:121mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17483F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008CBKV,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:400mA€220mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17483F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: