采购热线 400-661-9010
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3402-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1000UN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.89nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7400
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：40708，"17+"：190000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1000UN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.89nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1000UN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.89nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3402-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7400
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7400
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3402-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3402-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1000UN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.89nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7400
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3402-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
