品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3664S
连续漏极电流:13A€25A
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1765pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7
导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:19.3nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:9.5A
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
阈值电压:2.7V@250µA
连续漏极电流:30A€60A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1765pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:7.8A
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
输入电容:970pF@24V
栅极电荷:15nC@4.5V
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7602S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:12A€17A
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1750pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:5mΩ@20A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1160pF@15V
功率:1W
连续漏极电流:17A€32A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:2000pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:60A
导通电阻:5mΩ@30A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3018SFV-7
导通电阻:12mΩ@11.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2147pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
栅极电荷:51nC@10V
连续漏极电流:11A€35A
功率:1W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL
栅极电荷:2.1nC@4.5V
输入电容:240pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,4.5V
连续漏极电流:3A
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7
导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:19.3nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:9.5A
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7602S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
输入电容:1750pF@15V
功率:1W
连续漏极电流:12A€17A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0300L-G-P002
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:190pF@20V
类型:N沟道
连续漏极电流:640mA
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:1.2Ω@1A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.2A
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
输入电容:448pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3606S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13A€27A
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3021SFVWQ-13
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A€42A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@8A,10V
功率:1W
输入电容:1799pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL
栅极电荷:2.1nC@4.5V
输入电容:240pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,4.5V
连续漏极电流:3A
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7620S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:608pF@15V
连续漏极电流:10.1A€12.4A
功率:1W
导通电阻:20mΩ@10.1A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":4433,"07+":49500,"08+":1500,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:7.8A
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
输入电容:970pF@24V
栅极电荷:15nC@4.5V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:580pF@15V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:5.3A
功率:1W
栅极电荷:11.3nC@10V
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":9000}
规格型号(MPN):FDMS3606S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13A€27A
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
导通电阻:21mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:8.5A
栅极电荷:13.2nC@10V
功率:1W
输入电容:697pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1160pF@15V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:5mΩ@20A,10V
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:17A€32A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3664S
连续漏极电流:13A€25A
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1765pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":5000}
规格型号(MPN):NTMFS4708NT3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:7.8A
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
输入电容:970pF@24V
栅极电荷:15nC@4.5V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7
阈值电压:2V@250µA
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.2A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
功率:1W
类型:2N沟道(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7408SFG-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:23mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
功率:1W
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":1831,"24+":30000}
规格型号(MPN):FDMS3604S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:13A€23A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7408SFG-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:23mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
功率:1W
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1160pF@15V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:5mΩ@20A,10V
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:17A€32A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7602S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
输入电容:1750pF@15V
功率:1W
连续漏极电流:12A€17A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: