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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3664S 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3664S 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3664S

    连续漏极电流:13A€25A

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1765pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFGQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFGQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7

    导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:19.3nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    功率:1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    阈值电压:2.7V@250µA

    连续漏极电流:30A€60A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1765pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G 起订1457个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G 起订1457个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:7.8A

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    输入电容:970pF@24V

    栅极电荷:15nC@4.5V

    功率:1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7602S 起订750个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7602S 起订750个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7602S

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:12A€17A

    导通电阻:7.5mΩ@12A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:1750pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1160pF@15V

    功率:1W

    连续漏极电流:17A€32A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:2000pF@15V

    类型:N沟道

    栅极电荷:42nC@10V

    连续漏极电流:60A

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3018SFV-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3018SFV-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3018SFV-7

    导通电阻:12mΩ@11.5A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:2147pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    栅极电荷:51nC@10V

    连续漏极电流:11A€35A

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    输入电容:240pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    连续漏极电流:3A

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFGQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFGQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7

    导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:19.3nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    功率:1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7602S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7602S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7602S

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5mΩ@12A,10V

    输入电容:1750pF@15V

    功率:1W

    连续漏极电流:12A€17A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 VN0300L-G-P002 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 VN0300L-G-P002 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN0300L-G-P002

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:190pF@20V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:640mA

    阈值电压:2.5V@1mA

    导通电阻:1.2Ω@1A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.2A

    栅极电荷:8.6nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    输入电容:448pF@15V

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3606S

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1785pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    连续漏极电流:13A€27A

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SFVWQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SFVWQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SFVWQ-13

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A€42A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    功率:1W

    输入电容:1799pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    输入电容:240pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    连续漏极电流:3A

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7620S 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7620S 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7620S

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:608pF@15V

    连续漏极电流:10.1A€12.4A

    功率:1W

    导通电阻:20mΩ@10.1A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G 起订1457个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G 起订1457个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":4433,"07+":49500,"08+":1500,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:7.8A

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    输入电容:970pF@24V

    栅极电荷:15nC@4.5V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3027LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3027LFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:580pF@15V

    阈值电压:1.8V@250µA

    连续漏极电流:5.3A

    功率:1W

    栅极电荷:11.3nC@10V

    导通电阻:18.6mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订224个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订224个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"23+":9000}

    规格型号(MPN):FDMS3606S

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1785pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    连续漏极电流:13A€27A

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SFG-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SFG-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3018SFG-13

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2.1V@250µA

    连续漏极电流:8.5A

    栅极电荷:13.2nC@10V

    功率:1W

    输入电容:697pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1160pF@15V

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:17A€32A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3664S 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3664S 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3664S

    连续漏极电流:13A€25A

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1765pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT3G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT3G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"06+":5000}

    规格型号(MPN):NTMFS4708NT3G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:7.8A

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    输入电容:970pF@24V

    栅极电荷:15nC@4.5V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    功率:1W

    类型:2N沟道(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7408SFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    功率:1W

    输入电容:478.9pF@15V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3604S 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3604S 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"23+":1831,"24+":30000}

    规格型号(MPN):FDMS3604S

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1785pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:13A€23A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7408SFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    功率:1W

    输入电容:478.9pF@15V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1160pF@15V

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:17A€32A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7602S 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7602S 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7602S

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5mΩ@12A,10V

    输入电容:1750pF@15V

    功率:1W

    连续漏极电流:12A€17A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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