采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM036N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM036N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6324
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2719pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM036N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM036N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D5N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9690pF@15V
连续漏极电流：218A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6324
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：85A
栅极电荷：28nC@4.5V
输入电容：2719pF@15V
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6324
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2719pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：130nC@10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D5N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9690pF@15V
连续漏极电流：218A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D5N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9690pF@15V
连续漏极电流：218A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D5N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9690pF@15V
连续漏极电流：218A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D5N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9690pF@15V
连续漏极电流：218A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D5N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9690pF@15V
连续漏极电流：218A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D5N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9690pF@15V
连续漏极电流：218A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D5N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9690pF@15V
连续漏极电流：218A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR158DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6324
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2719pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
