品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4368DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8340pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC855N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:散装
输入电容:655pF@15V
连续漏极电流:6.1A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12.4A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12.4A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12.4A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12.4A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4874BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4406DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12.4A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12.4A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4874BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4368DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8340pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: