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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4430BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4368DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8340pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4874BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4406DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4430BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4430BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
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功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4874BDY-T1-E3
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功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI4368DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8340pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：1.5V@250µA
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连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
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输入电容：3230pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
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连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
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功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
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连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4874BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4406DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4406DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4430BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4368DY-T1-E3
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功率：1.6W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8340pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4874BDY-T1-E3
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阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
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功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
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连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.6W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8340pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
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功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4874BDY-T1-E3
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功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4874BDY-T1-E3
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阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI4442DY-T1-E3
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ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
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导通电阻：4.5mΩ@22A，10V
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