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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2347DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP018-30QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
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漏源电压：30V
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类型：P沟道
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栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
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功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2347DS-T1-GE3
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功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：AO4862
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
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功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
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功率：1.7W
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栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
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规格型号(MPN)：AO4862
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输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
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连续漏极电流：5A
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导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
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连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
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功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：PXP018-30QLJ
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功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
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输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2347DS-T1-GE3
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功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2347DS-T1-GE3
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功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP018-30QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP018-30QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI2347DS-T1-GE3
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功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2347DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2347DS-T1-GE3
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功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
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输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2347DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
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栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
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