品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:4.1A€5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:4.1A€5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:2W€3W
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:4.1A€5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:3V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
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类型:P沟道
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漏源电压:30V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:3V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
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连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
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ECCN:EAR99
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类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
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类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
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导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
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功率:2W€3W
阈值电压:3V@250µA
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栅极电荷:15nC@10V
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输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
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连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
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栅极电荷:14.5nC@10V
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连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
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包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
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功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
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连续漏极电流:4.1A€5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:4.1A€5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
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类型:P沟道
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
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栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
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漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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