采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3527，"20+"：1494，"21+"：9184}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0312AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0503NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：22A€88A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0312AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3527，"20+"：1494，"21+"：9184}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0312AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0312AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
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连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0503NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：22A€88A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0503NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：22A€88A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0312AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0312AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：9000，"18+"：9000，"19+"：985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：9000，"18+"：9000，"19+"：985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0503NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：22A€88A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：9000，"18+"：9000，"19+"：985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：9000，"18+"：9000，"19+"：985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0312AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0312AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0312AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0312AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0503NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：22A€88A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0503NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：22A€88A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
