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    类型: P沟道
    当前匹配商品:1700+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DDS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DDS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@6V

    连续漏极电流:5A€6A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:93nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@6V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC606P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC606P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC606P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1699pF@6V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB15XP,115 起订14个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB15XP,115 起订14个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB15XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:100nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2875pF@6V

    连续漏极电流:8.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:80nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@6V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423DQ-T1-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423DQ-T1-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423DQ-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.05W

    阈值电压:800mV@400µA

    栅极电荷:110nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@9.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7410TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:91nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8676pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@16A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P 起订635个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P 起订635个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA905P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3405pF@6V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2333-TP 起订51个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2333-TP 起订51个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@6V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@500mA,1.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2010pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3383-TL-H 起订792个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3383-TL-H 起订792个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":42441}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH3383-TL-H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:800mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:69mΩ@1.5A,2.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DDS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DDS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:35nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@6V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6401TRPBF 起订31个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6401TRPBF 起订31个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6401TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:830pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4453 起订16个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4453 起订16个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4453

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@6V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDF-7 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1022UFDF-7 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1022UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:48.3nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2712pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7410TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:91nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8676pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@16A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1009UFDF-7 起订19个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1009UFDF-7 起订19个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1009UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:44nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@6V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:65nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2010pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BSH205,215 起订1886个装
    NXP Mosfet场效应管 BSH205,215 起订1886个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":42807,"15+":76107}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417mW

    阈值电压:680mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@9.6V

    连续漏极电流:750mA

    类型:P沟道

    导通电阻:400mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1245UFCL-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1245UFCL-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1245UFCL-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:613mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:26.1nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357.4pF@10V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1009UFDF-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1009UFDF-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1009UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:44nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB15XP,115 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB15XP,115 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB15XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:100nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2875pF@6V

    连续漏极电流:8.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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