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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7410TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    输入电容:8676pF@10V

    导通电阻:7mΩ@16A,4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    栅极电荷:91nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7410TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    输入电容:8676pF@10V

    导通电阻:7mΩ@16A,4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    栅极电荷:91nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    连续漏极电流:2.2A

    功率:1W

    输入电容:512pF@6V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401VNEAZ 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401VNEAZ 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM4401VNEAZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:9nC@4.5V

    功率:400mW€12.5W

    漏源电压:12V

    连续漏极电流:4.7A

    输入电容:335pF@6V

    导通电阻:42mΩ@3A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB09R5VPX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB09R5VPX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB09R5VPX

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:46nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    功率:1.9W€12.5W

    连续漏极电流:10.5A

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    导通电阻:12mΩ@10.5A,4.5V

    输入电容:2700pF@6V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1012UFDF-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1012UFDF-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1012UFDF-13

    功率:720mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    导通电阻:15mΩ@5A,4.5V

    栅极电荷:31nC@8V

    连续漏极电流:12.6A€20A

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    输入电容:1344pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3

    功率:2.4W€13W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    输入电容:1180pF@6V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    栅极电荷:33nC@8V

    连续漏极电流:9A

    导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB15XPH 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB15XPH 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB15XPH

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:100nC@4.5V

    输入电容:2875pF@6V

    连续漏极电流:8.2A

    导通电阻:19mΩ@8.2A,4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    功率:1.7W€12.5W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    连续漏极电流:2.2A

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    输入电容:512pF@6V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7410TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    输入电容:8676pF@10V

    导通电阻:7mΩ@16A,4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    栅极电荷:91nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1012UFDF-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1012UFDF-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1012UFDF-13

    功率:720mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    导通电阻:15mΩ@5A,4.5V

    栅极电荷:31nC@8V

    连续漏极电流:12.6A€20A

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    输入电容:1344pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@6V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    连续漏极电流:3A

    导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    栅极电荷:15nC@4.5V

    功率:750mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB40UNEZ 起订2500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB40UNEZ 起订2500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB40UNEZ

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    输入电容:556pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    漏源电压:12V

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    功率:400mW€8.33W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8819EDB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8819EDB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    连续漏极电流:2.9A

    功率:900mW

    栅极电荷:17nC@8V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    输入电容:650pF@6V

    导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501VPEZ 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501VPEZ 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM6501VPEZ

    栅极电荷:29.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    功率:556mW€12.5W

    导通电阻:25mΩ@3A,4.5V

    输入电容:1400pF@6V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401VNEAZ 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401VNEAZ 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM4401VNEAZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:9nC@4.5V

    功率:400mW€12.5W

    漏源电压:12V

    连续漏极电流:4.7A

    输入电容:335pF@6V

    导通电阻:42mΩ@3A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1012UFDF-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1012UFDF-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1012UFDF-13

    功率:720mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    导通电阻:15mΩ@5A,4.5V

    栅极电荷:31nC@8V

    连续漏极电流:12.6A€20A

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    输入电容:1344pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3

    功率:2.4W€13W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    输入电容:1180pF@6V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    栅极电荷:33nC@8V

    连续漏极电流:9A

    导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB40UNEZ 起订1250个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB40UNEZ 起订1250个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB40UNEZ

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    输入电容:556pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    漏源电压:12V

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    功率:400mW€8.33W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401VNEAZ 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401VNEAZ 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"17+":1170000,"MI+":63000}

    规格型号(MPN):PMCM4401VNEAZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:9nC@4.5V

    功率:400mW€12.5W

    漏源电压:12V

    连续漏极电流:4.7A

    输入电容:335pF@6V

    导通电阻:42mΩ@3A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    输入电容:21pF@6V

    漏源电压:12V

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB13UPX 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB13UPX 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB13UPX

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    连续漏极电流:9.1A

    导通电阻:16mΩ@9.1A,4.5V

    栅极电荷:39nC@4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    输入电容:2230pF@6V

    功率:2W€12.5W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    功率:1.1W€2.7W

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    输入电容:2900pF@6V

    栅极电荷:93nC@8V

    导通电阻:19mΩ@3A,4.5V

    连续漏极电流:6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7410TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    输入电容:8676pF@10V

    导通电阻:7mΩ@16A,4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    功率:2.5W

    连续漏极电流:16A

    栅极电荷:91nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    连续漏极电流:2.2A

    功率:1W

    输入电容:512pF@6V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401VNEAZ 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401VNEAZ 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM4401VNEAZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:9nC@4.5V

    功率:400mW€12.5W

    漏源电压:12V

    连续漏极电流:4.7A

    输入电容:335pF@6V

    导通电阻:42mΩ@3A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@6V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    连续漏极电流:3A

    导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    栅极电荷:15nC@4.5V

    功率:750mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410GTRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410GTRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":8231,"MI+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7410GTRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:12V

    类型:P-Channel

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    导通电阻:7mΩ@16A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:93nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@6V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB15XP,115 起订14个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB15XP,115 起订14个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB15XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:100nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2875pF@6V

    连续漏极电流:8.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
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