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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4866DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2411
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4866DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4866DY-T1-E3
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功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4866DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2411
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
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功率：5W
阈值电压：900mV@250µA
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输入电容：2180pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
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规格型号(MPN)：AON2411
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类型：P沟道
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功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
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类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
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类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
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栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
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功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
漏源电压：12V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：AON2411
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
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类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
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