采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8457DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：93nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@6V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB15XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：100nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2875pF@6V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7410TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：91nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8676pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@16A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4453
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@6V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7410TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：91nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8676pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@16A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB441EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@6V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：25.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB15XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：100nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2875pF@6V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB15XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2875pF@6V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB441EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@6V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：25.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8819EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，3.7V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM6501VPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：556mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@6V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB441EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@6V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：25.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8819EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，3.7V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB441EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@6V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：25.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2403
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2403
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8819EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，3.7V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1012UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：31nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1344pF@10V
连续漏极电流：12.6A€20A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9000，"19+"：152995，"21+"：22495，"22+"：107995，"23+"：63000，"MI+"：22500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM6501VPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：556mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@6V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：115，"21+"：9000，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401VPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB441EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@6V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：25.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB441EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@6V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：25.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8457DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：93nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@6V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23202W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401VPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401VPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@6V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1012UFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：31nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1344pF@10V
连续漏极电流：12.6A€20A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
