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    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 3.8nC@4.5V
    当前匹配商品:30+
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    NXP Mosfet场效应管 BSH205,215 起订1886个装
    NXP Mosfet场效应管 BSH205,215 起订1886个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":42807,"15+":76107}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417mW

    阈值电压:680mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@9.6V

    连续漏极电流:750mA

    类型:P沟道

    导通电阻:400mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:512pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

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    栅极电荷:3.8nC@4.5V

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    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

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    类型:P沟道

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    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

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    功率:1W

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    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

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    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订3000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订3000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

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    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订27个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订27个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

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    输入电容:512pF@6V

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    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订9000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订9000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

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    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10T

    工作温度:-55℃~150℃

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    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10T

    工作温度:-55℃~150℃

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    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

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    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

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    输入电容:512pF@6V

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    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

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    栅极电荷:3.8nC@4.5V

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    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10T 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10T 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

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    输入电容:512pF@6V

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    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:512pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10T 起订750个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10T 起订750个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

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    输入电容:512pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:512pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BSH205,215 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 BSH205,215 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":42807,"15+":76107}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417mW

    阈值电压:680mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@9.6V

    连续漏极电流:750mA

    类型:P沟道

    导通电阻:400mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:512pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BSH205,215 起订1886个装
    NXP Mosfet场效应管 BSH205,215 起订1886个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417mW

    阈值电压:680mV@1mA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@9.6V

    连续漏极电流:750mA

    类型:P沟道

    导通电阻:400mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    连续漏极电流:2.2A

    功率:1W

    输入电容:512pF@6V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    连续漏极电流:2.2A

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    输入电容:512pF@6V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    连续漏极电流:2.2A

    功率:1W

    输入电容:512pF@6V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:512pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10T 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10T 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:512pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:512pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订11个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10 起订11个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:512pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10T 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23202W10T 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23202W10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:512pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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