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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1882}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3433T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@5V
连续漏极电流：2.35A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：3662，"09+"：15000，"10+"：55476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：8980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3447PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1053pF@6V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
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输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：159000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3433T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@5V
连续漏极电流：2.35A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
