品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@6V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
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连续漏极电流:1.3A
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规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@6V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
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导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
输入电容:120pF@6V
类型:2个P沟道(双)
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功率:1.25W
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3
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输入电容:120pF@6V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3
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工作温度:-55℃~150℃
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
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输入电容:120pF@6V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
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漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:120pF@6V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
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漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@6V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
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