采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13381F4
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：180mΩ@500mA，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2.1A
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
功率：500mW
漏源电压：12V
输入电容：200pF@6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1.3V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：1.2nC@4.5V
功率：500mW
漏源电压：12V
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13385F5
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：19mΩ@900mA，4.5V
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：5nC@4.5V
类型：N沟道
功率：500mW
漏源电压：12V
输入电容：674pF@6V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13385F5
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：19mΩ@900mA，4.5V
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：5nC@4.5V
类型：N沟道
功率：500mW
漏源电压：12V
输入电容：674pF@6V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：1.41A
功率：500mW
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：106pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13381F4
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：180mΩ@500mA，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2.1A
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
功率：500mW
漏源电压：12V
输入电容：200pF@6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD13385F5T
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：19mΩ@900mA，4.5V
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：5nC@4.5V
类型：N沟道
功率：500mW
漏源电压：12V
输入电容：674pF@6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD13381F4T
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：180mΩ@500mA，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2.1A
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
功率：500mW
漏源电压：12V
输入电容：200pF@6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1.3V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：1.2nC@4.5V
功率：500mW
漏源电压：12V
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD13381F4T
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：180mΩ@500mA，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2.1A
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
功率：500mW
漏源电压：12V
输入电容：200pF@6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13385F5
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：19mΩ@900mA，4.5V
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：5nC@4.5V
类型：N沟道
功率：500mW
漏源电压：12V
输入电容：674pF@6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1.3V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：1.2nC@4.5V
功率：500mW
漏源电压：12V
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：1.41A
功率：500mW
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：106pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13385F5
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：19mΩ@900mA，4.5V
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：5nC@4.5V
类型：N沟道
功率：500mW
漏源电压：12V
输入电容：674pF@6V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1.3V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：1.2nC@4.5V
功率：500mW
漏源电压：12V
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD13385F5T
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：19mΩ@900mA，4.5V
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：5nC@4.5V
类型：N沟道
功率：500mW
漏源电压：12V
输入电容：674pF@6V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD13383F4T
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2.9A
功率：500mW
漏源电压：12V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.6nC@4.5V
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13385F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@6V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@6V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13381F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@6V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13385F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@6V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13383F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
