品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW48N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3576pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3576pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3576pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3576pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3576pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN48N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5.5V@8mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8860pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW48N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW48N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN48N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5.5V@8mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8860pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: