采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@570µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGOT60R070D1AUMA3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC40APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1036pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC40ASPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1036pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI24NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGOT60R070D1AUMA3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGT60R070D1ATMA4
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC40PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5810，"21+"：2925，"22+"：6112，"24+"：3000，"MI+"：8521}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGO60R070D1AUMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC40LCPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGOT60R070D1AUMA3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1353}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGO60R070D1AUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7，"19+"：1752，"20+"：272367，"MI+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGOT60R070D1AUMA3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：321，"09+"：35，"12+"：20000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP6N60C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：810pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2.75A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：321，"09+"：35，"12+"：20000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP6N60C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：810pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2.75A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@570µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC40PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGOT60R070D1AUMA3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI24NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
