品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":400}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R660CFDXKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:615pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:660mΩ@2.1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK70ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK70Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R080CFD
工作温度:-55℃~150℃
功率:391W
阈值电压:4.5V@1.76mA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:5030pF@100V
连续漏极电流:43.3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17.6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD600A70R
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD600A70R
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2470K4-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:42Ω@100mA,0V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK70ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTU8N70X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@500mA,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2470K4-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:42Ω@100mA,0V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2470K4-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:42Ω@100mA,0V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R080CFD
工作温度:-55℃~150℃
功率:391W
阈值电压:4.5V@1.76mA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:5030pF@100V
连续漏极电流:43.3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17.6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK70ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK70ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP8N70X2M
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@500mA,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK70ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD600A70
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":14277,"16+":240,"19+":445}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R660CFDFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:615pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:660mΩ@2.1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTU8N70X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@500mA,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD360A70
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD600A70R
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF360A70L
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD600A70
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF360A70L
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK70ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD360A70
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM70N380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:981pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP8N70X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@500mA,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK70ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD600A70R
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存: