采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N100TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@800mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N100TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@800mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP4N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1456pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@2A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP4N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1456pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@2A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N100TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@800mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQH8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQH8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP4N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1456pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@2A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N100TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@800mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP4N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1456pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@2A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQH8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N100TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@800mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQH8N100C
栅极电荷：70nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
功率：225W
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
包装方式：管件
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N100TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15.5nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@800mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQH8N100C
栅极电荷：70nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
功率：225W
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
包装方式：管件
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
输入电容：3220pF@25V
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：8A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
功率：225W
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
