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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS250FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：90mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS50DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：29.7A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.83mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H045SPTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@4.5A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS250P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS250P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS250P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：230mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS250FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：90mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR150DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：30.9A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.71mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RVQ040N05HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H045SPTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@4.5A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RVQ040N05HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RVQ040N05HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H045SPTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@4.5A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RVQ040N05HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H045SPTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@4.5A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSH070P05GZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：47.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H045SPTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@4.5A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS250FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：90mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSH070P05GZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：47.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
