采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ254DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流：11.7A€32.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.1mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT200EPEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：822pF@35V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：167mΩ@2.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ254DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流：11.7A€32.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.1mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK110N07
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：4V@8mA
栅极电荷：480nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9000pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@55A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@4.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ254DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流：11.7A€32.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.1mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT200EPEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：822pF@35V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：167mΩ@2.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
