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    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG 起订2165个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG 起订2165个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5468,"21+":66398}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTND31015NZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.3pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKVYL 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3020NAKVYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-13-F 起订22个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-13-F 起订22个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138-13-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D9UFZ-7B 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D9UFZ-7B 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D9UFZ-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.5pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT1G 起订55个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT1G 起订55个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002NH6327XTSA2 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002NH6327XTSA2 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SN7002NH6327XTSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1.8V@26µA

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4424ASTZ 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4424ASTZ 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4424ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:带盒(TB)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:9Ω@200mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002NH6433XTMA1 起订17个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002NH6433XTMA1 起订17个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SN7002NH6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1.8V@26µA

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002NH6433XTMA1 起订12个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002NH6433XTMA1 起订12个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SN7002NH6433XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1.8V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000-D26Z 起订24个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000-D26Z 起订24个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000-D26Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT1G 起订56个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT1G 起订56个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138AKAR 起订29个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138AKAR 起订29个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138AKAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€1.06W

    阈值电压:1.5V@250mA

    栅极电荷:0.51nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:47pF@30V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN3545N8-G 起订3个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN3545N8-G 起订3个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN3545N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@150mA,0V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA02N250HV 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA02N250HV 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA02N250HV

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    输入电容:116pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:450Ω@50mA,10V

    漏源电压:2500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138DW-7-F 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138DW-7-F 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订106个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订106个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138Q-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138DW-7-F 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138DW-7-F 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订47个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订47个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002NH6327XTSA2 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002NH6327XTSA2 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SN7002NH6327XTSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1.8V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4106FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4106FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4106FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000-D26Z 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000-D26Z 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000-D26Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7000TA 起订6个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7000TA 起订6个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN1509K1-G 起订4个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN1509K1-G 起订4个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN1509K1-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@200mA,0V

    漏源电压:90V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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