品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP45N15V2
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3030pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@22.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP45N15V2
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3030pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@22.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP45N15V2
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3030pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@22.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G45P40T
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3269pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G45P40T
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3269pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G45P40T
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3269pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP45N15V2
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3030pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@22.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G45P40T
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3269pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP45N15V2
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3030pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@22.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G45P40T
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3269pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G45P40T
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3269pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP50NF25
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2670pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@22A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
漏源电压:500V
栅极电荷:137nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
输入电容:6630pF@25V
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
包装方式:管件
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT43M60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:780W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8590pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G45P40T
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3269pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR64N50Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6950pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@32A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR64N50Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6950pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@32A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: