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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€36W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87352Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.5W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17318Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：16W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87588N
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：736pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7272DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7272DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17318Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：16W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17318Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：16W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7272DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17318Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：16W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17318Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：16W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87588NT
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：736pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€36W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87588N
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：736pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87335Q3DT
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87335Q3DT
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87335Q3DT
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87588NT
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：736pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€36W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
