品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP50R199CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP17NF25
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@8.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:212W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4368DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8340pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H099SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT180N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4.5V@1.8mA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS10C4D2N
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2260,"23+":6790}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0589NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:101W
阈值电压:3.5V@360µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@500V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:101W
阈值电压:3.5V@360µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@500V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6816
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1540pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:66nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":70,"19+":30180,"MI+":700}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP190N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:144W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:66nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":14318}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI50R199CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0160120J-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:3.6V@2.33mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@1000V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@8.5A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:101W
阈值电压:3.5V@360µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@500V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:66nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB18N50KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2830pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP50R199CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA17N80C3
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@1mA
栅极电荷:177nC@10V
输入电容:2320pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW17N80C3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.9V@1mA
栅极电荷:177nC@10V
输入电容:2320pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: