采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB290N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：212W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3205pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP190N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：144W
阈值电压：4.5V@1.7mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2406，"22+"：47354，"23+"：36150，"24+"：6000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP190N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：144W
阈值电压：4.5V@1.7mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：683，"20+"：1865，"21+"：155000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11880，"23+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB290N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：212W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3205pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：683，"20+"：1865，"21+"：155000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2406，"22+"：47354，"23+"：36150，"24+"：6000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：683，"20+"：1865，"21+"：155000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：683，"20+"：1865，"21+"：155000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：683，"20+"：1865，"21+"：155000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2406，"22+"：47354，"23+"：36150，"24+"：6000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2406，"22+"：47354，"23+"：36150，"24+"：6000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
