品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H150DHE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.2pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:150Ω@50mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H150DHE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.2pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:150Ω@50mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0109N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@500mA,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0109N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@500mA,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0104N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H150DHE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.2pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:150Ω@50mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H150DHE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.2pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:150Ω@50mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H150DHE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.2pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:150Ω@50mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0104N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H150DHE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.2pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:150Ω@50mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0109N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@500mA,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: