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    功率: 350mW
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    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订28个装
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订28个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDW-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDW-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7839_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7839_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7839_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDWQ-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDWQ-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDWQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDWQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Comchip Mosfet场效应管 2N7002-HF 起订100个装
    Comchip Mosfet场效应管 2N7002-HF 起订100个装

    品牌:Comchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002-HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7839_R1_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7839_R1_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7839_R1_00001

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    功率:350mW

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDWQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDWQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDW-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDW-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KDW-AU_R1_000A1 起订16个装
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KDW-AU_R1_000A1 起订16个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KDW-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJT7839_R1_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7839_R1_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7839_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

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    输入电容:51pF@25V

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    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJT7839_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7839_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7839_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    强茂 Mosfet场效应管 PJT7839_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7839_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7839_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订76个装
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订76个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7839_R1_00001 起订9个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7839_R1_00001 起订9个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7839_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订60个装
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订60个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDWQ-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDWQ-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDW-7 起订39个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDW-7 起订39个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDWQ-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDWQ-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订3000个装
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订3000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订24个装
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订24个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    强茂 Mosfet场效应管 PJT7839_R1_00001 起订14个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7839_R1_00001 起订14个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7839_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDWQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDWQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订19个装
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订19个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDWQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDWQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7839_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT7839_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT7839_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Comchip Mosfet场效应管 2N7002-HF 起订15个装
    Comchip Mosfet场效应管 2N7002-HF 起订15个装

    品牌:Comchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002-HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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